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    含T-型二維液晶基元的液晶高分子配體的合成與表征(Ⅱ)

    發布日期:2017-10-09 來源: 本網 查看次數: 1910 

    核心提示:  含t型二維液晶基元的液晶高分子配體的合成與表征(rbookmark0張淑媛,張征,鄧剛,鄭世軍,李自法周其鳳bookmark1(鄭州大學化學化工學院,河南鄭州450052)(北京大學化學院高分子科

      含t型二維液晶基元的液晶高分子配體的合成與表征(rbookmark0張淑媛,張征,鄧剛,鄭世軍,李自法周其鳳bookmark1(鄭州大學化學化工學院,河南鄭州450052)(北京大學化學院高分子科學與工程系,北京100871)4-二羥基-44克氧基偶氮苯為單體,通過溶液縮聚反應,合成了一類新的含T型二居液晶基元的液晶高分子配體,它們的液晶行為用DSC偏光顯微鏡和X射線衍射進行了表征。發現高分子配體均為向列型熱致液晶高分子,液晶態溫度范圍較寬液晶高分子配體的熔點(T)和液晶態的清亮點(T,)隨分子中末端烷氧基增大呈規律性變化設計并合成新型結構的液晶高分子,己成為近年來高分子液晶中一個十分有趣的課題之一。將具有二維結構的液晶基元引入高分子鏈,合成含二維液晶基元的液晶高分子是一新的研究方向,這方面的研究工作己有一些報道對于含有配位原子的二維液晶基元的液晶高分子配體的研究甚少。筆者設計合成的含T型二維液晶基元的液晶高分子配體,一是分子中含有配位原子,能與金屬生成液晶配合物,二是具有類似棒狀液晶高分子的伸展鏈形態且分子間的相互作用力可望得到加強(有關這方面的研究工作將另文報道)因此研究這類液晶高分子配體對進一步了解液晶高分子結構與性能之間的關系及金屬離子引入配體對液晶性能的影響是很有意義的MAX-3BX射線衍射儀,Cu靶,工作電壓40kV,工作電流30mA,掃描速率5/min,掃描范圍5~ GPCWaters201型儀,標樣PS;Leitz熱臺偏光顯微鏡1.由Fig.1可見,在加熱過程中均出現由固態進入液晶態的熔融峰,除4A外無液晶態進入各向同性態的清亮點峰。

      熱臺偏光顯微鏡和DSC測定的結果是一致的。

      室溫下樣品的雙折射較弱,表明配體有一定的結晶性,隨溫度升高,樣品熔融后進入液晶態,雙折射逐漸增強,呈現出向列型的絲狀和紋影織構Fig.2為4A和4E的液晶態圖像。觀察中還發現,液晶態的織構至樣品發生弱的分解時都無變化,表明它們只有一種液晶相態;不同樣品進入液晶態后的粘度不同,隨分子中末端烷氧基增大,流動性明顯增加,這反映出末端基大小對液晶高分子配體運動難易程度的影峋特別值得一提的是,出現末端不含取代基的4A也能產生液晶態,這對液晶態生成的機制與液晶態織構提供了一新的研宄課題配體的WAXD研宄表明,不同取代基的配體結晶性較差,4C和4E的結晶性較好,4B和4D次在室溫下結晶程度不同,Fig. 4E粉末樣之將4A- 4E加熱至液晶態,恒溫10min,冰鹽水品在室溫下測得的WAXD曲線由圖可見,4A的淬火后測得的WAXD曲線,峰包中心位置約在方20附近,符合一般凍結的向列型液晶高分子特征

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